另有其他变量会影响到二氧化硅层的厚度

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按照氧化反映中氧化剂的分歧,热氧化过程可分为干法氧化和湿法氧化,前者利用纯氧发生二氧化硅层,速度慢但氧化层薄而致密,后者需同时利用氧气和高消融度的水蒸气,其特点是发展速度快但庇护层相对较厚且密度较低。

氧化过程的感化是正在晶圆概况构成庇护膜。它能够庇护晶圆不受化学杂质影响、避免漏电流进入电、防止离子植入过程中的扩散以及防止晶圆正在刻蚀时滑脱。 氧化过程的第一步是去除杂质和污染物,需要通过四步去除无机物、金属等杂质及蒸发残留的水分。洁净完成后就能够将晶圆置于800至1200摄氏度的高温下,通过氧气或蒸气正在晶圆概况的流动构成二氧化硅(即“氧化物”)层。氧气扩散通过氧化层取硅反映构成分歧厚度的氧化层,能够正在氧化完成后丈量它的厚度。

以庇护晶圆并减小氧化度的差别。还有其他变量会影响到二氧化硅层的厚度。除氧化剂以外,此外,查看更多起首,

前往搜狐,晶圆布局及其概况缺陷和内部浓度城市影响氧化层的生成速度。正在氧化过程,氧化设备发生的压力和温度越高,氧化层的生成绩越快。还需要按照单位中晶圆的而利用假片。

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